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TDA8953THN1有现货BTS7030-2EPA四折【宗天技术】

  “5nm、4nm芯片所采用的都是FinFET(鳍式场效应晶体管)结构。FinFET结构在芯片制程进入28nm后,相比较于平面MOSFET器件结构,具有更强的栅极控制能力,FinFET结构可通过增加栅极与沟道的接触面积,来增强对导电沟道的控制。沟道接触面积的增长。可以从一定程度上缓解短沟道效应。

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